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晶体管
RD3H080SPFRATL参考图片

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RD3H080SPFRATL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
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库存:15,488(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.7856
2892.8
1,000
¥4.5652
4565.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
91 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,RD3H080SPFRATL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 COMP NBRT
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:84713
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:7955
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥6.4523
10:¥5.198
3,000:¥5.198
参考库存:69257
晶体管
MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:73944
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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