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晶体管
IPP076N12N3 G参考图片

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IPP076N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：2,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.8368
6418.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
116 S, 58 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP076N12N3GXKSA1 IPP76N12N3GXK SP000652736
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP076N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GP250SA60S
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 Ic 250A Vce(On)1.10V Sngl Brdge Trench PT
1:¥200.9366
5:¥191.874
10:¥185.8737
25:¥170.8108
参考库存:3915
DXT2010P5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:36937
BSM200GA120DN2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
1:¥1,062.6972
5:¥1,041.7922
10:¥993.2361
25:¥972.4102
参考库存:2399
TSM090N03ECP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V 55Amp N channel Mosfet with ESD protection
1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4578
500:¥2.5312
2,500:¥1.7402
5,000:查看
参考库存:26671
TSM7P06CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:27323

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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