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晶体管
STP80N10F7参考图片

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STP80N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
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库存:7,951(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP80N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP80N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 115mA N-Channel
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6427149
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:31346
晶体管
MOSFET PNP/NMOS
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:18523
晶体管
MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
800:¥20.4417
2,400:查看
参考库存:4700
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥42.036
10:¥34.804
100:¥28.6568
250:¥27.7415
500:¥24.8939
参考库存:5987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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