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晶体管
ZTX603STZ参考图片

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ZTX603STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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库存:7,085(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.01 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX60
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
2000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX603STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0Vce
90:¥89.9819
120:¥82.6821
270:¥75.3823
510:¥67.0768
参考库存:30556
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 4.5A
4,000:¥1.5594
8,000:¥1.5029
24,000:¥1.4464
48,000:¥1.4238
参考库存:30561
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30566
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:30571
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:4114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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