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晶体管
RGW00TS65DGC11参考图片

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RGW00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:6,033(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.957
43.957
10
¥37.3465
373.465
100
¥32.431
3243.1
250
¥30.736
7684
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
254 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
96 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW00TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:14235
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26894
参考库存:60564
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:4196
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:45893
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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