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晶体管
CSD18512Q5B参考图片

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CSD18512Q5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:104,607(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5484
3774.2
2,500
¥5.8195
14548.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18512Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
136 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
115.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18512Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 3.0nC 2.44Ohm
1:¥7.7631
10:¥6.3506
100:¥5.2997
500:¥4.0906
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:16172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 10A 50V
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
参考库存:26079
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
2,500:¥2.5199
参考库存:26386
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:99273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60590
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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