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晶体管
SIRC10DP-T1-GE3参考图片

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SIRC10DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:47,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.294
429.4
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9154
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRC10DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
800:¥7.3789
参考库存:10694
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:9311
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:18663
晶体管
MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
1,000:¥15.9782
2,000:查看
参考库存:13760
晶体管
MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:87087
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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