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晶体管
QPD1015参考图片

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QPD1015

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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库存:2,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 11 Amp
1:¥8.1473
10:¥6.9382
100:¥5.3223
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
2,500:¥3.2996
参考库存:13381
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 160V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:57918
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:2205
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:70967
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6444
500:¥5.876
2,000:¥4.1132
10,000:查看
参考库存:10994
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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