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晶体管
AFV10700HSR5参考图片

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AFV10700HSR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
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库存:2,095(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,707.3783
2707.3783
5
¥2,544.2515
12721.2575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.2 dB
输出功率
700 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
526 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935346524178
单位重量
6.490 g
商品其它信息
优势价格,AFV10700HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6506
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6611
10,000:¥1.6498
参考库存:13213
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:43195
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:4947
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:3654
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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