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晶体管
2N5657G参考图片

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2N5657G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 250V 20W NPN
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7741
1774.1
2,500
¥1.5142
3785.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
375 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5657
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格,2N5657G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
参考库存:35859
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
10,000:¥0.71416
参考库存:35864
晶体管
MOSFET 20V 4.7A 3.2W
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:35869
晶体管
MOSFET
1:¥51.4037
10:¥41.2676
25:¥40.567
100:¥37.6516
参考库存:35874
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥177.5004
5:¥170.5057
10:¥164.1325
25:¥150.8324
参考库存:35879
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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