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晶体管
STL58N3LLH5参考图片

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STL58N3LLH5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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库存:16,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2094
72.094
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8929
2446.45
3,000
¥3.4239
10271.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
22 V, - 20 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6.6 mm
产品
Power MOSFET
系列
STL58N3LLH5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H5
宽度
5.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns
典型接通延迟时间
10.8 ns
单位重量
95 mg
商品其它信息
优势价格,STL58N3LLH5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥3,458.1051
5:¥3,410.5434
10:¥3,291.1363
25:¥3,171.8761
参考库存:33151
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:33156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.7628
参考库存:33161
晶体管
MOSFET 60V 107A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥5.2658
10,000:¥5.1528
参考库存:33166
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:33171
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    50万现货SKU

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