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晶体管
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IRL60B216

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 195A, 1.9 mOhm 172 nC Qg, Logic Lvl
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数量单价合计
1
¥28.8941
28.8941
10
¥24.5888
245.888
100
¥21.2892
2128.92
250
¥20.2044
5051.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
305 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
264 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
185 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
SP001568416
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRL60B216的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
T1G4020036-FS
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥120.8648
200:¥110.1863
500:¥103.1238
参考库存:38175
JAN2N3500L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥130.7071
250:¥119.1811
500:¥111.4971
参考库存:38180
JANSF2N7261U
Microsemi
晶体管
MOSFET Power Mosfet
50:¥3,550.234
参考库存:38185

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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