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晶体管
QS6M3TR参考图片

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QS6M3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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库存:27,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M3
商品其它信息
优势价格,QS6M3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥167.5903
10:¥152.3692
25:¥140.9223
50:¥133.3174
参考库存:1967
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
50:¥23.8995
参考库存:2779
晶体管
MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥17.8992
10:¥16.2155
100:¥13.0628
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1706
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
800:¥11.30
2,400:查看
参考库存:100623
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
3,000:¥7.8422
6,000:查看
参考库存:2660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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