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晶体管
QS6M3TR参考图片

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QS6M3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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库存:27,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M3
商品其它信息
优势价格,QS6M3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15800
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 22K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:17647
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:6019
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A FSP IGBT
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:9516
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥29.2783
10:¥26.2047
100:¥21.5943
250:¥19.7524
500:¥17.6732
参考库存:4483
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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