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晶体管
STGD3HF60HDT4参考图片

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STGD3HF60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.5 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3HF60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,STGD3HF60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.3845
500:¥5.4918
800:¥4.3392
参考库存:8402
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5595
1,000:¥2.8476
5,000:¥2.4069
参考库存:24959
晶体管
MOSFET BUK7K35-60E/LFPAK56D/REEL 7" Q
1:¥6.4523
10:¥5.5144
100:¥4.2375
500:¥3.7403
1,500:¥2.6216
9,000:查看
参考库存:12001
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
5,000:¥1.808
参考库存:26353
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 7.6 mo FET
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
1,500:¥2.5764
参考库存:11860
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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