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晶体管
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IPD12CN10NGATMA1

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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
2,500
¥6.4862
16215.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
67 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
G IPD12CN10N SP001127806
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD12CN10NGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3637UB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
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BC848BW RF
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1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:31190
TPR700
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25:¥2,634.3012
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R6008FNJTL
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1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:31200
2SC4726TLN
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1:¥2.7685
10:¥2.1018
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
参考库存:31205

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    50万现货SKU

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