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晶体管
CSD19506KTT参考图片

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CSD19506KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET KTT pkg spin from CSD19506KCS
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库存:6,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥30.962
309.62
100
¥25.3572
2535.72
250
¥23.7413
5935.325
500
¥21.5943
10797.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19506KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
297 S
下降时间
5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19506KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
10:¥598.2785
30:¥578.3001
100:¥538.4902
参考库存:30412
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
3,000:¥0.69947
9,000:¥0.63732
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52997
99,000:¥0.51528
参考库存:30417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DOUBLE RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:30422
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥1,996.0772
10:¥1,967.7933
25:¥1,940.8202
50:¥1,807.8192
参考库存:30427
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥211.9993
参考库存:30432
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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