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晶体管
TSM60N900CP参考图片

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TSM60N900CP

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.006
3503
2,500
¥5.0059
12514.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
720 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
ROG TSM60N900CP
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,TSM60N900CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
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1:¥3.0736
10:¥2.1357
100:¥0.9831
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10,000:¥0.58421
20,000:查看
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1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
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晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
2,500:¥1.2204
参考库存:38649
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    50万现货SKU

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