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晶体管
SIHG47N60AE-GE3参考图片

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SIHG47N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：5,153(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.9352
59.9352
10
¥53.9462
539.462
25
¥49.0985
1227.4625
100
¥44.3412
4434.12
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
108 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥2.0905
参考库存:9661
FS150R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE
1:¥1,470.7176
5:¥1,435.3712
10:¥1,399.7197
25:¥1,380.0464
参考库存:5473
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
1:¥82.829
10:¥74.8399
25:¥71.3821
100:¥62.0144
参考库存:6750
FDN340P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
1:¥3.1527
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
3,000:¥0.85315
参考库存:169637
R6015KNZC8
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.2888
参考库存:8234

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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