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晶体管
JAN2N2369AUB/TR参考图片

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JAN2N2369AUB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存：36,240(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥166.9688
16696.88
250
¥153.2167
38304.175
500
¥145.8378
72918.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
0.36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JAN2N2369AUB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD30N06S4L23ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:25696
RRR015P03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.2317
参考库存:21573
IRFSL7787PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3676
1,000:¥6.102
参考库存:3100
SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
2,500:¥6.0116
5,000:查看
参考库存:14782
BCP5510TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:42619

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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