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晶体管
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BCP5510TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
1322.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP55
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
63
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BCP5510TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MSC040SMA120S
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥248.7356
5:¥239.0515
10:¥230.1358
25:¥211.4682
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BC52-10PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Chemical content BC52-10PA
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:25572
2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
800:¥17.063
2,400:¥16.2155
参考库存:25577
DTC143EU3HZGT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:16012
MZ0912B100Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:25584

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    50万现货SKU

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