RN1113MFV,L37F详细信息_RN1113MFV,L37F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1113MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF8S18210WHSR3	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W	250:¥774.6263	参考库存:30679
DRA3113Z0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm	10,000:¥0.52206 20,000:¥0.49155	参考库存:30684
DMPH4013SK3-13	Diodes Inc. / Pericom	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K	1:¥7.7631 10:¥6.6444 100:¥5.1076 500:¥4.5087 1,000:¥3.5595 2,500:¥3.5595	参考库存:16227
TN2640N3-G P014	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	2,000:¥5.65	参考库存:30691
SIR670DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	3,000:¥4.2036	参考库存:30696