RN1113MFV,L37F详细信息_RN1113MFV,L37F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1113MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFP4321PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg	1:¥28.6568 10:¥24.3628 100:¥21.131 250:¥20.0575 500:¥17.9783	参考库存:4137
SI4825DDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8	1:¥7.2207 10:¥5.9777 100:¥4.5878 500:¥3.955 2,500:¥3.955	参考库存:34319
IPB80P04P4L-04	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2	1:¥14.5205 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106 1,000:¥7.1642	参考库存:5986
2N5550TAR	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥1.695 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 2,000:¥0.24634	参考库存:48438
MMBT3906LT1H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE	1:¥0.99892 10:¥0.86106 100:¥0.30736 1,000:¥0.20792 3,000:¥0.16159	参考库存:218910