ZXTC2061E6TA详细信息_ZXTC2061E6TA相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：22,598(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-26-6
晶体管极性	NPN, PNP
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
集电极—基极电压 VCBO	12 V, 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
最大直流电集电极电流	5 A
增益带宽产品fT	260 MHz, 310 MHz
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZXTC206
直流电流增益 hFE 最大值	500 at 10 mA, 2 V
高度	1.3 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.8 mm
商标	Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min	500 at 10 mA, 2 V at NPN, 480 at 1 A, 2 V at NPN, 260 at 5 A, 2 V at NPN, 500 at 10 mA, 2 V at PNP, 290 at 1 A, 2 V at PNP, 75 at 3.5 A, 2 V at PNP
Pd-功率耗散	1700 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

优势价格，ZXTC2061E6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMP6050SFG-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W	1:¥4.5313 10:¥3.8081 100:¥2.4634 1,000:¥1.9662 3,000:¥1.9662	参考库存:63912
NTMFS4926NT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH	1:¥3.5369 10:¥2.8702 100:¥1.7515 1,000:¥1.356 1,500:¥1.1639	参考库存:14344
IRGP4062DPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT	1:¥47.0984 10:¥40.0359 100:¥34.6571 250:¥32.883	参考库存:5961
SI3429EDV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6	1:¥3.842 10:¥2.6329 100:¥1.7741 500:¥1.4238 3,000:¥0.9831 6,000:查看	参考库存:180148
RTQ030P02TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6	1:¥4.3053 10:¥3.5595 100:¥2.1696 1,000:¥1.6724 3,000:¥1.4238	参考库存:17780