ZXTC2061E6TA详细信息_ZXTC2061E6TA相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：22,598(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-26-6
晶体管极性	NPN, PNP
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
集电极—基极电压 VCBO	12 V, 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
最大直流电集电极电流	5 A
增益带宽产品fT	260 MHz, 310 MHz
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZXTC206
直流电流增益 hFE 最大值	500 at 10 mA, 2 V
高度	1.3 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.8 mm
商标	Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min	500 at 10 mA, 2 V at NPN, 480 at 1 A, 2 V at NPN, 260 at 5 A, 2 V at NPN, 500 at 10 mA, 2 V at PNP, 290 at 1 A, 2 V at PNP, 75 at 3.5 A, 2 V at PNP
Pd-功率耗散	1700 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

优势价格，ZXTC2061E6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDD16AN08A0-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans N-Ch 75V 9A	1:¥11.6842 10:¥9.9892 100:¥7.6727 500:¥6.78 2,500:¥4.746 10,000:查看	参考库存:23280
CMPTA29 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 NPN 100V 500mA C29	1:¥3.1527 10:¥2.6668 100:¥1.6724 1,000:¥1.2656 3,000:¥1.07576	参考库存:77127
DMN2005K-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel	1:¥3.5369 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259 9,000:¥0.89157	参考库存:71239
BUK7611-55A,118	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	1:¥9.9892 10:¥8.5315 100:¥6.4975 500:¥5.7517 800:¥4.5426	参考库存:26666
NTGD1100LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift	1:¥4.5313 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 3,000:¥1.5029	参考库存:141568