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晶体管
NTGD1100LT1G参考图片

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NTGD1100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
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库存:141,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
系列
NTGD1100L
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGD1100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:16296
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:85788
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0399
参考库存:5765
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
参考库存:3352
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:35439
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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