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晶体管
IRGP4063PBF参考图片

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IRGP4063PBF

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库存:8,134(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.7878
49.7878
10
¥45.0305
450.305
25
¥42.9513
1073.7825
100
¥37.2674
3726.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001546206
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4063PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥113.6441
5:¥109.1919
10:¥105.1126
25:¥96.5924
参考库存:33573
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.3899
参考库存:33578
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:33583
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:33588
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:33593
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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