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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	100 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2131
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
直流电流增益 hFE 最大值	400
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT31M100L	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS8	1:¥143.2275 10:¥130.1647 25:¥120.4128 50:¥113.8814	参考库存:4145
FF450R17IE4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1700V 450A	1:¥3,123.772	参考库存:4102
FJA4310OTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥13.9894 10:¥11.9102 100:¥9.5259 500:¥8.3733 1,000:¥6.893	参考库存:4094
PMBT3904MB,315	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V, 200 mA NPN Switching Transistor	1:¥2.0001 10:¥1.356 100:¥0.56839 1,000:¥0.3842 10,000:¥0.26103 20,000:查看	参考库存:56466
MRF141	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥571.5314 10:¥524.433 25:¥470.645 50:¥416.857	参考库存:4123