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晶体管
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STGFW30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
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数量单价合计
600
¥15.6731
9403.86
1,200
¥13.221
15865.2
3,000
¥12.5204
37561.2
5,400
¥12.0684
65169.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，STGFW30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3467
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥105.881
10:¥96.2082
25:¥89.0553
50:¥84.2189
参考库存:29130
BC807-25T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 45V 0.05A 3PIN
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:29135
TSM500P02CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P channel Power Mosfet
1:¥4.9155
10:¥3.4578
100:¥2.26
500:¥1.3334
3,000:¥0.89948
9,000:查看
参考库存:29140
BCX53H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:29145
EMA3T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA 5PIN
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:29150

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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