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晶体管
IPI47N10S-33参考图片

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IPI47N10S-33

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库存：30,565(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2885
7288.5
2,500
¥6.78
16950
5,000
¥6.5314
32657
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPI47N10S33AKSA1 IPI47N1S33XK SP000225703
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI47N10S-33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFB42N20DPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
参考库存:13727
SI7386DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
1:¥11.752
10:¥10.3734
100:¥8.2264
500:¥6.3958
3,000:¥6.3958
参考库存:21874
CSD16414Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:34436
CSD16401Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥17.1308
10:¥14.5996
100:¥11.6051
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:18473
PEMB13,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:86220

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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