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晶体管
DCP54-16-13参考图片

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DCP54-16-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 45V
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库存:30,602(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥1.00683
2517.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DCP54
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,DCP54-16-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 100V TR
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2092
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:17579
晶体管
MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:64011
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
2,500:¥1.582
参考库存:13528
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥866.5292
25:¥807.3624
100:¥784.2313
参考库存:1250
晶体管
MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:107587
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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