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晶体管

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APT30GP60JDQ1

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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库存:30,617(价格仅供参考)
数量单价合计
19
¥194.1792
3689.4048
25
¥178.427
4460.675
50
¥173.0482
8652.41
100
¥164.8218
16482.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
245 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT30GP60JDQ1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥24.6679
10:¥20.9728
100:¥18.1365
250:¥17.2099
3,000:¥12.3735
6,000:查看
参考库存:17356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:213258
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥16.0573
参考库存:6725
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:3417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:71829
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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