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晶体管
IPP80N08S2-07参考图片

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IPP80N08S2-07

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库存:29,807(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥12.1362
6068.1
1,000
¥10.0683
10068.3
2,500
¥9.379
23447.5
5,000
¥8.9948
44974
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPP80N08S207AKSA1 IPP8N8S27XK SP000219040
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP80N08S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:5573
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
1,000:¥20.6677
2,000:查看
参考库存:11495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:7204
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:18261
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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