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晶体管
IPL60R210P6AUMA1参考图片

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IPL60R210P6AUMA1

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库存:20,802(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5204
6260.2
3,000
¥9.6841
29052.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19.2 A
Rds On-漏源导通电阻
189 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
8 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPL60R210P6 SP001017096
商品其它信息
优势价格,IPL60R210P6AUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:113305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 12V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:13262
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5368
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.34578
参考库存:40064
晶体管
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1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:2526
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5425
100:¥1.582
500:¥1.4125
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:16868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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