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晶体管
STGB20N40LZ参考图片

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STGB20N40LZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
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库存:11,578(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
425 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
16 V
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20N40LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥21.0519
10:¥17.515
100:¥13.5261
500:¥11.9102
1,000:¥11.30
3,000:¥11.30
参考库存:20384
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:9901
晶体管
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:108548
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
参考库存:12355
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.379
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:43277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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