DTC144TMT2L详细信息_DTC144TMT2L相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC144TM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC144TM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC549C A1	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	1:¥1.6159 10:¥1.4577 100:¥0.9379 1,000:¥0.31527 4,000:¥0.26103 8,000:查看	参考库存:79069
QS8J1TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching	1:¥7.2998 10:¥6.2828 100:¥4.8251 500:¥4.2601 1,000:¥3.7403 3,000:¥3.7403	参考库存:6326
IPP60R380E6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6	1:¥14.2945 10:¥12.1362 100:¥9.6841 500:¥8.5315 1,000:¥7.0625	参考库存:4803
FF450R06ME3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 600V 550A	1:¥1,059.0812 5:¥1,038.2666 10:¥989.9252 25:¥969.1106	参考库存:4025
CSD19532Q5BT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N ch MOSFET	1:¥19.5151 10:¥16.5997 100:¥13.221 250:¥13.221 500:¥11.526	参考库存:15267