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晶体管
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IPB60R080P7ATMA1

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数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.2672
332.672
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.3573
6839.325
1,000
¥20.6677
20667.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
129 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R080P7 SP001664898
商品其它信息
优势价格，IPB60R080P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3637L/TR
Microsemi
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100:¥175.2743
250:¥160.8216
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TK49N65W,S1F
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暂无价格
参考库存:33431
JANTXV2N3485A
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1,000:¥88.8293
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TSM085N03PQ33 RGG
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10,000:查看
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100:¥14.9047
500:¥12.9837
参考库存:9271

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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