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晶体管
RGW80TS65DGC11参考图片

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RGW80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:5,573(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
214 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:12402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT223 BIP POWER TRAN
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.3617
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.5933
参考库存:9714
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:37931
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:7198
晶体管
MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
1:¥5.2997
10:¥4.4409
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
2,500:¥2.2939
参考库存:14825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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