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晶体管
2N4126 TRE参考图片

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2N4126 TRE

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.7289
1728.9
2,000
¥1.4803
2960.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N4126E
直流电流增益 hFE 最大值
360 at 2 mA, 1 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
200 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 at 50 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N4126 PBFREE TRE
商品其它信息
优势价格,2N4126 TRE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥24.6679
10:¥20.9728
100:¥18.1365
250:¥17.2099
3,000:¥12.3735
6,000:查看
参考库存:17356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:213258
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥16.0573
参考库存:6725
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:3417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:71829
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    50万现货SKU

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