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晶体管
SI4554DY-T1-GE3参考图片

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SI4554DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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库存：31,686(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥4.9042
49.042
100
¥3.729
372.9
500
¥3.0736
1536.8
1,000
¥2.4634
2463.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC, 41.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W, 3.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S, 27 S
下降时间
7 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI4554DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIR876ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,000:¥6.9156
3,000:¥6.9156
参考库存:16504
BC817W,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.15368
20,000:查看
参考库存:52421
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 60A 600V FS IGBT
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:5748
IMH23T110
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Dual NPN 20V 600mA
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
参考库存:7940
PUMD30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:34362

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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