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晶体管
BUJD203A,127参考图片

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BUJD203A,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 425 V 4 A
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5,000
¥2.1583
10791.5
10,000
¥2.0792
20792
25,000
¥2.0001
50002.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
425 V
集电极—基极电压 VCBO
850 V
集电极—射极饱和电压
0.29 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
32
商标
WeEn Semiconductors
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934064983127
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHFS9N60A-GE3
Vishay / Siliconix
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45,000:¥0.4068
99,000:¥0.39211
参考库存:29137

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    50万现货SKU

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