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晶体管
DMN3270UVT-13参考图片

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DMN3270UVT-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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¥0.88366
8836.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V, - 500 mV
Qg-栅极电荷
3.07 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.08 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
674 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
205 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1470 ns
典型接通延迟时间
163 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2024U-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:35545
PTVA084007NF-V1-R5
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1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:35555
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:21098
CMPT3410 TR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 350mW
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:233600

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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