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晶体管
DMN3270UVT-13参考图片

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DMN3270UVT-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
10,000
¥0.88366
8836.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V, - 500 mV
Qg-栅极电荷
3.07 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.08 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
674 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
205 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1470 ns
典型接通延迟时间
163 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3270UVT-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:67042
晶体管
达林顿晶体管 HV HA Darlington
1:¥6.5314
10:¥5.6048
100:¥4.2827
500:¥3.7855
参考库存:13624
晶体管
MOSFET Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:124086
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 50MA SOT-416
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:208588
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
参考库存:14595
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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