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晶体管
RFM08U9X(TE12L,Q)参考图片

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RFM08U9X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
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数量单价合计
1,000
¥31.1993
31199.3
2,000
¥30.0467
60093.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
36 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM08
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
商品其它信息
优势价格,RFM08U9X(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Ic 250A Vce(On)1.10V Sngl Brdge Trench PT
1:¥200.9366
5:¥191.874
10:¥185.8737
25:¥170.8108
参考库存:3915
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:36937
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
1:¥1,062.6972
5:¥1,041.7922
10:¥993.2361
25:¥972.4102
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1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4578
500:¥2.5312
2,500:¥1.7402
5,000:查看
参考库存:26671
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:27323
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    50万现货SKU

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