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晶体管
DMN3065LW-13参考图片

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DMN3065LW-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
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数量单价合计
10,000
¥0.63054
6305.4
20,000
¥0.59212
11842.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
11.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
770 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMN3065
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.3 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3065LW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3105LVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:5207
2N4861A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2614
2SD1802T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
参考库存:12561
DMN3200U-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 650mW 30Vdss
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:26638
MMUN2116LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:411265

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    50万现货SKU

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