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晶体管
IPD65R600C6BTMA1参考图片

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IPD65R600C6BTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3337
733.37
500
¥6.4862
3243.1
1,000
¥5.1189
5118.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD65R600
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD65R600C6 IPD65R6C6XT SP000745020
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD65R600C6BTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
暂无价格
参考库存:32886
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:32891
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 153 mo FET
1,500:¥1.3786
9,000:¥1.2882
24,000:¥1.2091
49,500:¥1.1865
参考库存:32896
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
10,000:¥1.356
25,000:¥1.2882
50,000:¥1.2543
参考库存:32901
晶体管
IGBT 模块
15:¥428.383
30:¥414.5518
105:¥384.20
参考库存:32906
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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