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晶体管
MRFX1K80N-88MHZ参考图片

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MRFX1K80N-88MHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935369639598
商品其它信息
优势价格,MRFX1K80N-88MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:35613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:10265
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:9227
晶体管
MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
1:¥4.9155
10:¥4.2262
100:¥3.1414
500:¥2.3052
5,000:¥1.4803
10,000:查看
参考库存:25484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:2991
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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