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晶体管
BUJD105AD,118参考图片

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BUJD105AD,118

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 700V 8A
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2939
5734.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
36
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
934063378118
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,BUJD105AD,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:8084
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:28476
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:15398
晶体管
MOSFET 240V 15Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:24595
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥73.5404
10:¥66.4666
25:¥63.3139
100:¥55.0197
参考库存:3437
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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