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晶体管
NVATS68301PZT4G参考图片

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NVATS68301PZT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 75 ml -100V P-Chan
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数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
3,000
¥7.1755
21526.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ATPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
84 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVATS68301PZ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
250 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NVATS68301PZT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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3,000:¥1.1865
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1:¥2,673.4896
参考库存:4046
  • 海量现货

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    保证原装正品

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