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晶体管
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TSM2N70CP

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET
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5,000
¥2.1357
10678.5
10,000
¥2.1018
21018
25,000
¥2.0566
51415
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
5.25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
18.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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