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晶体管
HFA3127RZ参考图片

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HFA3127RZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
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库存:6,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
50
¥63.7772
3188.86
100
¥55.3248
5532.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
QFN EP
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
0.95 mm (Max)
长度
3 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127RZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:140904
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3501
晶体管
MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
1:¥64.9298
10:¥63.0879
25:¥60.3985
250:¥56.0932
1,000:¥54.4773
参考库存:5763
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Transistor
1:¥6.9947
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
参考库存:6295
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3847
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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