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晶体管
IPB038N12N3 G参考图片

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IPB038N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存：6,193(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB038N12N3GATMA1 IPB38N12N3GXT SP000694160
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB038N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RS3E135BNGZETB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7459
参考库存:48115
DCP53-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
2,500:¥1.00683
参考库存:117338
2N2907AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥67.235
10:¥60.5454
25:¥55.1666
100:¥49.7878
参考库存:5625
STB34N50DM2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:4847
SIHP16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥45.2565
10:¥37.4934
100:¥30.8942
250:¥29.8885
500:¥26.8149
参考库存:9819

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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