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晶体管
IPB038N12N3 G参考图片

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IPB038N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB038N12N3GATMA1 IPB38N12N3GXT SP000694160
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB038N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2953
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3163
TT8M1TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:73395
CPC3703CTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
1:¥5.3788
10:¥4.7121
25:¥4.5878
50:¥4.4409
1,000:¥2.0905
参考库存:39647
APT60N60SCSG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥232.5201
5:¥223.4462
10:¥215.0729
25:¥197.5579
参考库存:3729
MGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
参考库存:317921

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    50万现货SKU

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