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晶体管
NTLUS3C18PZTBG参考图片

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NTLUS3C18PZTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
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数量单价合计
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7.3789
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
3,000
¥2.9606
8881.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
15.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.6 mm
产品
Power MOSFET
类型
-
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
21.8 S
下降时间
59 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
商品其它信息
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