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晶体管
IPI100N10S3-05参考图片

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IPI100N10S3-05

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T
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库存:4,831(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPI100N10S305AKSA1 IPI1N1S35XK SP000407128
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IPI100N10S3-05的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:5207
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2614
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
参考库存:12561
晶体管
MOSFET 650mW 30Vdss
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:26638
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:411265
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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